SI2300DS-T1-GE3

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

SI2300DS-T1-GE3 datasheet

• Маркировка
  SI2300DS-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SI2300DS-T1-GE3 RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Continuous Drain Current: 3.6 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.055 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-236 Forward Transconductance gFS (Max / Min): 13 S Gate Charge Qg: 6.5 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 1.7 W Part # Aliases: SI2300DS-GE3
• Количество страниц
  10 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI2300DS-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 197,61 KB